РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 19.06.2008   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


19.06.2008

Nature 453, 1086-1089 (19 June 2008) | doi:10.1038/nature07049; Received 1 February 2008; Accepted 29 April 2008



Nanoscale holographic interferometry for strain measurements in electronic devices


Martin Hÿtch1, Florent Houdellier1, Florian Hüe1 & Etienne Snoeck1




  1. CEMES-CNRS, nMat Group, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France


Correspondence to: Martin Hÿtch1 Correspondence and requests for materials should be addressed to M.H. (Email: hytch@cemes.fr).





Strained silicon is now an integral feature of the latest generation of transistors and electronic devices1, 2, 3 because of the associated enhancement in carrier mobility4, 5. Strain is also expected to have an important role in future devices based on nanowires6 and in optoelectronic components7. Different strategies have been used to engineer strain in devices, leading to complex strain distributions in two and three dimensions8, 9. Developing methods of strain measurement at the nanoscale has therefore been an important objective in recent years but has proved elusive in practice1, 10: none of the existing techniques combines the necessary spatial resolution, precision and field of view. For example, Raman spectroscopy or X-ray diffraction techniques can map strain at the micrometre scale, whereas transmission electron microscopy allows strain measurement at the nanometre scale but only over small sample areas. Here we present a technique capable of bridging this gap and measuring strain to high precision, with nanometre spatial resolution and for micrometre fields of view11. Our method combines the advantages of moiré techniques12 with the flexibility of off-axis electron holography13 and is also applicable to relatively thick samples, thus reducing the influence of thin-film relaxation effects.



Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок