РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 28.12.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


28.12.2009

Multiferroic behavior and magnetoelectric effect in View the MathML source thick films






W. Chena, S. Shannigrahib, X.F. Chena, Z.H. Wangc, W. Zhua, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author and O.K. Tana






a Microelectronics Center, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore


b Institute of Materials Research Engineering, Singapore 117602, Singapore


c School of Mechanical & Aerospace Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore






Received 9 April 2009; 


revised 2 November 2009; 


accepted 7 November 2009. 


by T. Kimura. 


Available online 14 November 2009.






Abstract


A CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3 (CFO/PZT) multiferroic composite thick film assisted by polyvinylpyrrolidone (PVP) was prepared by a hybrid sol–gel processing and spin coating technique. Scanning electronic microscopy indicated a porous microstructure with a thickness of 6.2 μm. Pure PZT perovskite phase observed from x-ray diffraction suggested that the low ratio of CFO particles was deeply buried in the PZT matrix. Ferroelectric and ferromagnetic properties were observed simultaneously at room temperature as well as a lower leakage current compared with a CFO/PZT thin film. The dynamic and static magnetoelectric effects were strongly dependent on the applied DC/AC magnetic field but their values were very low. The results demonstrated the prediction that ferroelectric and ferromagnetic properties can induce a strong magnetoelectric coupling only if a dense microstructure was achieved.





Keywords: A. Multiferroic thick film; D. Ferroelectric; D. Ferromagnetic; D. Magnetoelectric effect





Article Outline



1. Introduction
2. Experimental procedural
3. Results and discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References























Corresponding Author Contact InformationCorresponding author at: School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, Singapore. Tel.: +65 6790 4541; fax: +65 6793 3318.









 










Solid State Communications
Volume 150, Issues 5-6, February 2010, Pages 271-274


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок