РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 12.05.2006   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


12.05.2006

Nature 441, 199-202 (11 May 2006) | doi:10.1038/nature04706; Received 4 October 2005; Accepted 2 March 2006


Strained silicon as a new electro-optic material


Rune S. Jacobsen1, Karin N. Andersen1,3, Peter I. Borel1, Jacob Fage-Pedersen1, Lars H. Frandsen1, Ole Hansen2, Martin Kristensen1,3, Andrei V. Lavrinenko1, Gaid Moulin1, Haiyan Ou1, Christophe Peucheret1, Beáta Zsigri1 and Anders Bjarklev1



For decades, silicon has been the material of choice for mass fabrication of electronics. This is in contrast to photonics, where passive optical components in silicon have only recently been realized1, 2. The slow progress within silicon optoelectronics, where electronic and optical functionalities can be integrated into monolithic components based on the versatile silicon platform, is due to the limited active optical properties of silicon3. Recently, however, a continuous-wave Raman silicon laser was demonstrated4; if an effective modulator could also be realized in silicon, data processing and transmission could potentially be performed by all-silicon electronic and optical components. Here we have discovered that a significant linear electro-optic effect is induced in silicon by breaking the crystal symmetry. The symmetry is broken by depositing a straining layer on top of a silicon waveguide, and the induced nonlinear coefficient, chi(2) 15 pm V-1, makes it possible to realize a silicon electro-optic modulator. The strain-induced linear electro-optic effect may be used to remove a bottleneck5 in modern computers by replacing the electronic bus with a much faster optical alternative.






  1. COMdotDTU, Department of Communications, Optics & Materials, Building 345V, NanodotDTU, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark
  2. CINF, MIC-Department of Micro and Nanotechnology, Building 345E, NanodotDTU, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark
  3. †Present addresses: MIC, Building 345E, Technical University of Denmark, DK-2800 Kgs. Lyngby, Denmark (K.A.); iNANO and IFA, University of Aarhus, Ny Munkegade, Building 1520, DK-8000 Århus C, Denmark (M.K.)


Correspondence to: Rune S. Jacobsen1 Correspondence and requests for materials should be addressed to R.S.J. (Email: Rune@com.dtu.dk).



Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок