РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 15.06.2006   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


15.06.2006

НаноэлектроникаСамый быстрый транзистор в мире


By: Свидиненко Юрий (Svidinenko) 2006.06.14

Микрофотография транзистора
Микрофотография транзистора

Самый быстрый транзистор в мире


Исследователями из Гарвардского университета создан самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра и кремниевых нанострун. Как говорят эксперты, это самый совершенный полевой транзистор, который когда-либо был создан.


"Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 3-4 раза, чем современные кремниевые CMOS, - комментирует открытие Чарльз Либре. - Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET-ами. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств – нанострунный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследованиям в области наноэлектроники".



Рис. 1. Структура транзистора



Рис. 1. Микрофотография транзистора


Либер и его коллеги создали структуру «ядро-нити» в Ge/Si наноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобильностью носителей зарядов.


Как было установлено, время переключения нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзистора, состоящего из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных MOSFET устройств.


Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS–технология уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использования в микропроцессорах будущего.


Также Либер уточнил, что нанотранзистор технологически совместим с логическими схемами на прозрачных и гибких основах – пластике, органических пленках и т.п.


Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзистора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схемах. Также Либер и его команда разрабатывают технологию массового производства подобных устройств.


Источник:



1. Nanotechweb.org: Nanowire transistors outperform MOSFETs



Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок