Объявление: требуются на работу
Историческая справка
Основные направления исследований
Дирекция
Выборы директора
Ученый совет
Ведущие сотрудники
Документы
Службы института
Реквизиты
Связь с прессой
Наука и универститеты
Лаборатория оксидных систем
Лаборатория нестехиометрических соединений
Лаборатория гетерогенных процессов
Лаборатория неорганического синтеза
Лаборатория химии соединений редкоземельных элементов
Лаборатория структурного и фазового анализа
Лаборатория физико-химических методов анализа
Лаборатория квантовой химии и спектроскопии им. профессора А.Л. Ивановского
Лаборатория физико-химии дисперсных систем
Лаборатория перспективных функциональных материалов для химических источников тока
Лаборатория ионики твёрдого тела
Группа патентно-конъюнктурных исследований
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаций
Нормативно-правовые акты в сфере противодействия коррупции
Иные нормативные акты в сфере противодействия коррупции
Формы документов, связанных с противодействием коррупции, для заполнения
Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
Прочие документы
Об аттестации
Аттестация 2018
Поиск конференций
Конференция-2022
Все конференции
Доклады наших сотрудников
Объявления
Информация для поступающих в аспирантуру
Личный кабинет поступающего в аспирантуру
Информация для аспирантов
Кандидатские экзамены
Нормативно-правовая база подготовки научно-педагогических кадров
Нормативно-распорядительные документы ИХТТ УрО РАН
Научно-педагогический состав
Сведения об аспирантах
Список аспирантов
Новости
Объявления
Конкурсы
Конференции
Ссылки
Устав
О нас
Новости
Состав совета
Специальности
Информация соискателю
Защита диссертаций
Нормативные документы
Архив
Новости
Документы
Контакты
Объявления
Научные сотрудники
Обслуживающий персонал
Документы
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК
УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ
ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
Новости
|
Об институте
|
Научные подразделения
|
Разработки
|
Патенты
|
Противодействие коррупции
Аттестация
|
Конференции
|
Аспирантура
|
Молодые ученые
|
Диссертационный совет
|
Профсоюз
|
Вакансии
Карта сайта
Language
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаций
ИХТТ УрО РАН
<< Назад
|
243
|
244
|
245
|
246
|
247
|
248
|
249
|
250
|
251
|
252
|
Далее >>
13.01.2013
подробнее>>
LiNbO3: Yb3+/Er3+/Tm3+; Power driven green to blue tunability
11.01.2013
подробнее>>
Жилье для молодых ученых/РГ
06.01.2013
подробнее>>
Research update: Jumping droplets help heat transfer
06.01.2013
подробнее>>
Quantum Physics/A temperature below absolute zero
05.01.2013
подробнее>>
Optical-field-induced current in dielectrics
05.01.2013
подробнее>>
Computational materials science: Soft heaps and clumpy crystals/Francesco Sciortino & Emanuela Zaccarelli
05.01.2013
подробнее>>
REGISTER NOW FOR REDUCED RATES:
Early Booking Deadline: 7 January 2013
02.01.2013
подробнее>>
Науку заказывали?
Петров А.Н.(«ХиЖ», 2012, №11)
31.12.2012
подробнее>>
Enhanced electrical properties of composite nanostructures using BiFeO3 nanotubes and ferroelectric copolymers
31.12.2012
подробнее>>
Solvothermal synthesis of Bi2WO6 hollow structures with excellent visible-light photocatalytic properties
Архив по годам:
2024
;
2023
;
2022
;
2021
;
2020
;
2019
;
2018
;
2017
;
2016
;
2015
;
2014
;
2013
;
2012
;
2011
;
2010
;
2009
;
2008
;
2007
;
2006
;
2005
;
2004
;
Лаборатория оксидных систем
Лаборатория нестехиометрических соединений
Лаборатория гетерогенных процессов
Лаборатория неорганического синтеза
Лаборатория химии соединений редкоземельных элементов
Лаборатория структурного и фазового анализа
Лаборатория физико-химических методов анализа
Лаборатория квантовой химии и спектроскопии им. профессора А.Л. Ивановского
Лаборатория физико-химии дисперсных систем
Лаборатория перспективных функциональных материалов для химических источников тока
Лаборатория ионики твёрдого тела
Группа патентно-конъюнктурных исследований
Дизайн и программирование
N-Studio
А
Б
В
Г
Д
Е
Ё
Ж
З
И
Й
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ъ
Ы
Ь
Э
Ю
Я
© 2004-2024 ИХТТ УрО РАН