О лаборатории

Заведующий: к.х.н.
Сунцов Алексей Юрьевич
Телефон: +7(343)227-13-45 (доб. 601)
E-mail:

Состав лаборатории: 10 сотрудников, в том числе 10 научных сотрудников, 5 кандидатов наук.

В 2019 г. Министерство науки и высшего образования Российской Федерации начало реализацию     Программы «Новые лаборатории» по созданию и поддержке новых лабораторий в подведомственных ему научных учреждениях. Создание «Новых лабораторий» было направлено на комплексное развитие научных исследований и разработок в области передовых технологий, совершенствования системы технологического трансфера технологий и обеспечения быстрого перехода результатов исследований в стадию практического применения. По условиям программы, не менее 70% штата «Новых лабораторий» должно быть представлено молодыми учёными.

Таким образом, под руководством кандидата химических наук Алексея Юрьевича Сунцова была создана Лаборатория ионики твёрдого тела, как часть структурного подразделения «Отдел оксидных систем», возглавляемого Академиком РАН Виктором Леонидовичем Кожевниковым.

Кандидат химических наук Алексей Юрьевич Сунцов известен в научном мире как специалист в области изучения дефектной структуры, термодинамики и функциональных характеристик оксидных материалов, перспективных для применения в качестве активных компонентов современных электрохимических устройств. Основными задачами лаборатории являются разработка новых функциональных материалов для среднетемпературных твердооксидных топливных элементов и кислородселективных мембран, технологий для безвоздушного окисления углеводородного сырья и термохимического накопления энергии.

В рамках реализации государственного задания и локальных внебюджетных проектов научных фондов сотрудники лаборатории активно взаимодействуют с коллегами из Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН, Института металлургии УрО РАН, Уральского федерального университета, Института химии твердого тела и механохимии СО РАН, Сколковского института науки и технологий и Санкт-Петербургского государственного технологического института