27.04.2009
РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | | | |
 27.04.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаций


27.04.2009

Ti2GaC, Ti4GaC3 and Cr2GaC—Synthesis, crystal growth and structure analysis of Ga-containing MAX-phases Mn+1GaCn with M=Ti, Cr and n=1, 3






Johannes Etzkorna, b, Martin Adea, b, Dominik Kotzotta, b, Monique Kleczekc, 1 and Harald Hillebrechta, b, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author






aInstitut für Anorganische und Analytische Chemie, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Albertstrasse 21, D-79104 Freiburg, Germany


bFreiburger Materialforschungszentrum FMF, Stefan-Maier-Strasse 25, D-79104 Freiburg, Germany


cUniversity of Toronto, Canada






Received 11 November 2008; 


revised 27 December 2008; 


accepted 3 January 2009. 


Available online 13 January 2009.






Abstract


Single crystals of Ga-containing MAX-phases Ti2GaC, Ti4GaC3, and Cr2GaC were grown from a metallic melt generated by an excess of Ga. This technique allows the crystal growth at different temperatures to control the product distribution. Compounds developed were Ti2GaC and TiC at 1500 °C, and Ti2GaC and Ti4GaC3 at 1300 °C. Crystal structures were refined from single crystal data. Ti2GaC and Cr2GaC were previously known, and belong to the Cr2AlC type as well as the solid solutions V2Ga1–xAlxC and Cr2Ga1–xAlxC. Ti4GaC3 is one of the few 413-phases (P63/mmc, a=3.0690(4) Å, c=23.440(5) Å) and the first Ga-containing representative. The crystal structures of MAX-phases are intergrowths of layers of an intermetallic MGa in a hexagonal stacking sequence with carbidic layers (MC)n of the NaCl type. The thickness of the layer depends from the value of n. The results of the structure refinements also demonstrate that also the structural details follow this description.





Graphical abstract


Single crystals of Ga-containing MAX-Phases (TiC)n(TiGa) (n=1, 3) were grown from a metallic melt including and characterised by X-ray diffraction. Ti4GaC3 is one of the few 413-phase and the first containing Ga.







Keywords: Single crystal growth; Crystal structure; Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS); X-ray diffraction (XRD); Carbides





Article Outline



1. Introduction
2. Experimental section

2.1. Syntheses, crystal growth, and characterisation
2.2. Structure solution and refinement

3. Results and discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References








































Corresponding Author Contact InformationCorresponding author. Fax: +49 761 203 6102.
1 On leave from University of Toronto, Canada.




Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я © 2004-2024 ИХТТ УрО РАН
беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок