РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 20.11.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


20.11.2009

Single-step, rapid low-temperature synthesis of Si quantum dots embedded in an amorphous SiC matrix in high-density reactive plasmas



Qijin Chenga, Shuyan Xub and Kostya (Ken) Ostrikova, c, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author






aPlasma Nanoscience Centre Australia (PNCA), CSIRO Materials Science and Engineering, PO Box 218, Lindfield, NSW 2070, Australia


bPlasma Sources and Applications Centre, NIE, Nanyang Technological University, 1 Nanyang Walk 637616, Singapore


cSchool of Physics, The University of Sydney, Sydney NSW 2006, Australia






Received 1 August 2009; 


revised 14 September 2009; 


accepted 18 September 2009. 


Available online 12 October 2009.






Abstract


A simple, effective and innovative approach based on low-pressure, thermally nonequilibrium, high-density inductively coupled plasmas is proposed to rapidly synthesize Si quantum dots (QDs) embedded in an amorphous SiC (a-SiC) matrix at a low substrate temperature and without any commonly used hydrogen dilution. The experimental results clearly demonstrate that uniform crystalline Si QDs with a size of 3–4 nm embedded in the silicon-rich (carbon content up to 10.7at.%) a-SiC matrix can be formed from the reactive mixture of silane and methane gases, with high growth rates of not, vert, similar1.27–2.34 nm s−1 and at a low substrate temperature of 200 °C. The achievement of the high-rate growth of Si QDs embedded in the a-SiC without any commonly used hydrogen dilution is discussed based on the unique properties of the inductively coupled plasma-based process. This work is particularly important for the development of the all-Si tandem cell-based third generation photovoltaic solar cells.





Keywords: Chemical vapor deposition; Quantum dots; Inductively coupled plasmas; Solar cells





Article Outline



1. Introduction
2. Experimental details
3. Results

3.1. X-ray photoelectron spectroscopy
3.2. X-ray diffraction
3.3. Raman spectroscopy
3.4. FTIR absorption spectra
3.5. Topography and microstructure
3.6. UV–vis spectroscopy
3.7. Growth rate Rd

4. Discussion
5. Conclusions
Acknowledgements
References





















































Corresponding Author Contact InformationCorresponding author. Address: Plasma Nanoscience Centre Australia (PNCA), CSIRO Materials Science and Engineering, PO Box 218, Lindfield, NSW 2070, Australia. Tel.: +61 2 94137634; fax: +61 2 94137200.


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок