РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 28.11.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


28.11.2009

Analysis of mechanical properties of N2 in situ doped polycrystalline 3C-SiC thin films by chemical vapor deposition using single-precursor hexamethyildisilane



Kang-San Kima, Ki-Bong Hana and Gwiy-Sang ChungCorresponding Author Contact Information, a, E-mail The Corresponding Author






aSchool of Electrical Engineering, University of Ulsan, San 29, Mugeodong, Namgu, Ulsan 680-749, Republic of Korea






Received 8 July 2009; 


revised 28 August 2009; 


accepted 2 September 2009. 


Available online 11 September 2009.






Abstract


This paper describes the mechanical properties of poly (polycrystalline) 3C-SiC thin films with N2 in situ doping. In this work, in situ doped poly 3C-SiC film was deposited by using the atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method at 1200 °C using single-precursor hexamethyildisilane: Si2(CH3)6 (HMDS) as Si and C precursors, and 0not, vert, similar100 sccm N2 as the dopant source gas. The mechanical properties of doped poly 3C-SiC thin films were measured by nano-indentation. Young's modulus and hardness were measured to be 285 and 35 GPa at 0 sccm N2, respectively. Young's modulus and hardness decreased with increasing N2 flow rate. Surface morphology was evaluated by atomic force microscopy (AFM) according to N2 flow rate.





Keywords: Poly 3C-SiC; Nano-indentor; Young's modulus; Hardness; In situ doping





Article Outline



1. Introduction
2. Experiment
3. Results and discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References





















Corresponding Author Contact InformationCorresponding author. Tel.: +82 52 259 1248; fax: +82 52 259 1686.










Physica B: Condensed Matter
Volume 405, Issue 2, 15 January 2010, Pages 513-516


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок