РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 28.11.2009   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


28.11.2009

Structural characterization and anomalous dielectric behaviour of (Si3N4)x(V2O5)100−x ceramics



Imran Khana and M. ZulfequarCorresponding Author Contact Information, a, E-mail The Corresponding Author






aDepartment of Physics, Jamia Millia Islamia, New Delhi 110025, India






Received 1 August 2009; 


accepted 8 September 2009. 


Available online 17 September 2009.






Abstract


In this paper we have studied the structure and electrical properties of (Si3N4)x(V2O5)100−x ceramics samples. The XRD shows the crystalline nature and SEM shows the morphology of these samples. By using Sherrer's equation the grain size has been measured and found to be of few nanometres. Temperature dependence of DC conductivity of the bulk samples are carried out in the temperature range (400–806 K) to understand the dielectric loss and conduction mechanism in these materials. The dielectric response reveals that there is a negative capacitance effect in these ceramic materials. Negative capacitance has been observed for ceramics of (Si3N4)x(V2O5)100−x in the audio frequency range (0.12–100 kHz). The presence of inductive reactance may cause of the negative capacitance which can be explained in terms of RLC component. The inertial conductivity, Maxwellian dielectric relaxation time (τm) and average dielectric relaxation time (τ) have been measured and found that τm is less than τ.





Keywords: Structural characterization; Negative dielectric constant (NDC); Dielectric loss and DC conductivity





PACS classification codes: 61.05.cp; 68.37.Hk; 71.55.Ak; 72.15.Cz; 72.20.−I; 77.22.Gm





Article Outline



1. Introduction
2. Experimental procedure
3. Results and discussions

3.1. Structural characterization
3.2. Dielectric behaviour
3.3. dc conductivity

4. Conclusion
References























































Corresponding Author Contact InformationCorresponding author. Tel.: +91 11 26989965; fax: +91 11 26981753.










Physica B: Condensed Matter
Volume 405, Issue 2, 15 January 2010, Pages 579-585


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок