РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 19.07.2010   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


19.07.2010


Focus your view on this article

Acta Materialia
Volume 58, Issue 15, September 2010, Pages 5009-5014













doi:10.1016/j.actamat.2010.05.035 | How to Cite or Link Using DOI
Copyright © 2010 Acta Materialia Inc. All rights reserved.
  Permissions & Reprints




Microtwinning in highly nonstoichiometric VOx thin films







Jing Lia, Bryan D. Gaunttb and Elizabeth C. Dickeya, b, Corresponding Author Contact Information, E-mail The Corresponding Author






a Materials Research Institute, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA


b Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA





Received 16 January 2010; 


revised 9 May 2010; 


accepted 16 May 2010. 


Available online 16 June 2010.







Abstract


Both pulsed-DC biased and commercial ion-beam sputtered VOx thin films maintain a face-centered-cubic nanocrystalline phase, even for stoichiometries of x > 1.5, which is well outside the bulk equilibrium solubility range for cubic VOx. Many of these highly nonstoichiometric films exhibit a high density of microtwins, which give rise to unusual fine structure in the selected-area electron diffraction patterns, namely: an additional defect ring; a significant broadening of the {2 0 0} ring; pairs of parallel rod features which are tangent to the additional defect ring; and additional fine-structure features between the {2 0 0} and {2 2 0} rings. The formation of the microtwins is correlated with the coalescence of vanadium vacancies along the {1 1 1} twin planes in the crystalline lattice.






Keywords: Bolometer materials; Transmission electron microscopy (TEM); Thin films; Nanocrystalline microstructure; Twinning





Article Outline



1. Introduction
2. Experimental procedure
3. Results

3.1. Pulsed-DC sputtered deposited VOx
3.2. Ion-beam sputter-deposited VOx

4. Discussion
5. Conclusions
Acknowledgements
References

































Corresponding author at: Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA. Tel.: +1 814 865 9067; fax: +1 814 865 2326.












Acta Materialia
Volume 58, Issue 15, September 2010, Pages 5009-5014




Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок