РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 25.11.2010   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


25.11.2010

Nature 468, 549-552 (25 November 2010) | doi:10.1038/nature09579; Received 17 May 2010; Accepted 6 October 2010; Published online 10 November 2010



Growth of graphene from solid carbon sources


Zhengzong Sun1, Zheng Yan1, Jun Yao2, Elvira Beitler1, Yu Zhu1 & James M. Tour1,3




  1. Department of Chemistry, Rice University, 6100 Main Street, Houston, Texas 77005, USA

  2. Applied Physics Program, Department of Bioengineering, Rice University, 6100 Main Street, Houston, Texas 77005, USA

  3. Richard E. Smalley Institute for Nanoscale Science and Technology, Department of Mechanical Engineering and Materials Science, Rice University, 6100 Main Street, Houston, Texas 77005, USA


Correspondence to: James M. Tour1,3 Email: tour@rice.edu




Top

Monolayer graphene was first obtained1 as a transferable material in 2004 and has stimulated intense activity among physicists, chemists and material scientists1, 2, 3, 4. Much research has been focused on developing routes for obtaining large sheets of monolayer or bilayer graphene. This has been recently achieved by chemical vapour deposition (CVD) of CH4 or C2H2 gases on copper or nickel substrates5, 6, 7. But CVD is limited to the use of gaseous raw materials, making it difficult to apply the technology to a wider variety of potential feedstocks. Here we demonstrate that large area, high-quality graphene with controllable thickness can be grown from different solid carbon sources—such as polymer films or small molecules—deposited on a metal catalyst substrate at temperatures as low as 800°C. Both pristine graphene and doped graphene were grown with this one-step process using the same experimental set-up.


ftp://server.ihim.uran.ru/localfiles/nature09579.pdf




Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок