РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 03.03.2012   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


03.03.2012

NPG Asia Materials (2012) 4, e6; doi:10.1038/am.2012.10
Published online 17 February 2012


Tunable and sizable band gap of single-layer graphene sandwiched between hexagonal boron nitride


Ruge Quhe1,2,5, Jiaxin Zheng1,2,5, Guangfu Luo1,3,5, Qihang Liu1, Rui Qin1, Jing Zhou1, Dapeng Yu1, Shigeru Nagase3, Wai-Ning Mei4, Zhengxiang Gao1 and Jing Lu1




  1. 1State Key Laboratory of Mesoscopic Physics and Department of Physics, Peking University, Beijing, PR China

  2. 2Academy for Advanced Interdisciplinary Studies, Peking University, Beijing, PR China

  3. 3Department of Theoretical and Computational Molecular Science, Institute for Molecular Science, Okazaki, Japan

  4. 4Department of Physics, University of Nebraska at Omaha, Omaha, NE, USA


Correspondence: Professor J Lu, State Key Laboratory of Mesoscopic Physics and Department of Physics, Peking University, Chengfu Road, Beijing 100871, PR China. E-mail: jinglu@pku.edu.cn


5These authors contributed equally to this work.


Received 7 September 2011; Revised 29 November 2011; Accepted 7 December 2011




Research Summary


Graphene: Mind the gap


Jing Lu and co-workers have revealed how to open up a tunable band gap in single-layer graphene, the one-atom-thick honeycomb carbon layer that has sparked much interest both in fundamental physics and in practical applications. Although graphene's excellent mechanical, thermal and electrical properties are very attractive, one major drawback is its lack of ‘band gap’ — the energy gap in the electronic structure of a material that enables to switch its conductivity on and off. Previous attempts to create such a gap in single-layer graphene have typically damaged its structure or conductivity. Through extensive calculations, the researchers have now examined the properties of single-layer graphene when sandwiched between two honeycomb boron nitride (BN) layers. They revealed that for a specific positioning of the layers, a sizable band gap can be opened and further tuned by applying an electric field without causing damage, making the sandwich structure a promising component for field-effect transistors.



http://www.ihim.uran.ru/files/info/2012/am201210a.pdf


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок