РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 21.04.2014   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


21.04.2014





Development of Bismuth-Based Electronic Materials from Indian Red Mud


























Abstract


This paper reports the synthesis and characterization of bismuth-based new electronic materials fabricated from silicon-free Indian red mud (RM). The materials were prepared using a solid-state reaction technique. Preliminary X-ray (XRD) structural analysis exhibits the formation of compounds closely related to BiFeO3 (with the presence of some additional impurity phases). The surface morphology recorded by scanning electron microscopy (SEM) reveals a polycrystalline nature of texture with uniform distribution of grains. Some dielectric parameters (relative permittivity (εr) and tangent loss (tan δ)) of the compounds are almost independent on frequency in the low-temperature range. In the high- temperature region, relative permittivity of the compounds is found to be higher with low tangent loss. Detailed studies of impedance and related parameters exhibit that the parameters are strongly dependent on temperature, and show a good correlation with their microstructures. The bulk resistance, evaluated from complex impedance spectra, is found to be decreasing with rise in temperature. The nature of impedance spectra exhibits a typical negative-temperature-co-efficient of resistance (NTCR) behavior similar to the semiconductors. Studies of electric modulus show the presence of hopping conduction mechanism in the system with non-exponential type of conduction relaxation. The low-leakage current and NTCR behavior of the materials are found to be consistent with their J-E characteristics. The ac conductivity spectra of the materials show a typical-signature of an ionic conducting system, and are found to obey Jonscher′s universal power law.




Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок