РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

УРАЛЬСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ

ИНСТИТУТ ХИМИИ TBEPДОГО ТЕЛА
   
| | | | |
| | | |
 26.11.2014   Карта сайта     Language По-русски По-английски
Новые материалы
Экология
Электротехника и обработка материалов
Медицина
Статистика публикаци


26.11.2014

Giant bandgap renormalization and excitonic

eects in a monolayer transition metal

dichalcogenide semiconductor

 


Miguel M. Ugeda1*†, Aaron J. Bradley1†, Su-Fei Shi1†, Felipe H. da Jornada1,2, Yi Zhang3,4,

Diana Y. Qiu1,2,Wei Ruan1,5, Sung-Kwan Mo3, Zahid Hussain3, Zhi-Xun Shen4,6, FengWang1,2,7,

Steven G. Louie1,2 and Michael F. Crommie1,2,7*

 

Two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides

(TMDs) are emerging as a new platform for exploring

2D semiconductor physics1–9. Reduced screening in two

dimensions results in markedly enhanced electron–electron

interactions, which have been predicted to generate giant

bandgap renormalization and excitonic eects10–13. Here we

present a rigorous experimental observation of extraordinarily

large exciton binding energy in a 2D semiconducting TMD.

We determine the single-particle electronic bandgap of

single-layer MoSe2 by means of scanning tunnelling

spectroscopy (STS), as well as the two-particle exciton

transition energy using photoluminescence (PL) spectroscopy.

These yield an exciton binding energy of 0.55 eV for monolayer

MoSe2 on graphene—orders of magnitude larger than what

is seen in conventional 3D semiconductors and significantly

higher than what we see for MoSe2 monolayers in more highly

screening environments. This finding is corroborated by our

ab initio GW and Bethe–Salpeter equation calculations14,15

which include electron correlation eects. The renormalized

bandgap and large exciton binding observed here will have

a profound impact on electronic and optoelectronic device

technologies based on single-layer semiconducting TMDs.


 


www.ihim.uran.ru/localfiles/NM14/nmat4061.pdf


Дизайн и программирование N-Studio 
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
  • Chen Wev .  honorary member of ISSC science council

  • Harton Vladislav Vadim  honorary member of ISSC science council

  • Lichtenstain Alexandr Iosif  honorary member of ISSC science council

  • Novikov Dimirtii Leonid  honorary member of ISSC science council

  • Yakushev Mikhail Vasilii  honorary member of ISSC science council

  • © 2004-2019 ИХТТ УрО РАН
    беременность, мода, красота, здоровье, диеты, женский журнал, здоровье детей, здоровье ребенка, красота и здоровье, жизнь и здоровье, секреты красоты, воспитание ребенка рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок медицина, клиники и больницы, болезни, врач, лечение, доктор, наркология, спид, вич, алкоголизм православные знакомства, православный сайт творчeства, православные рассказы, плохие мысли, православные психологи рождение ребенка,пол ребенка,воспитание ребенка,ребенок дошкольного возраста, дети дошкольного возраста,грудной ребенок,обучение ребенка,родить ребенка,загадки для детей,здоровье ребенка,зачатие ребенка,второй ребенок,определение пола ребенка,будущий ребенок